1402/6/24 منابع خبری: تأمین تراشه‌های حافظه Mate 60 Pro توسط SK Hynix و تکذیب شرکت کره‌ای

کمپانی هواوی به تازگی از سری Mate 60 شامل سه گوشی Mate 60 Pro ،Mate 60 و +Mate 60 Pro در دو نوبت زمانی رونمایی کرده، اما در صفحه مشخصات به تراشه مورد استفاده در هیچ یک از این سه محصول اشاره نکرده است. اگر چه منابع خبری از حضور تراشه ناشناخته Kirin 9000s با لیتوگرافی معادل 7 نانومتری در Mate 60 Pro و +Mate 60 Pro ساخته SMIC خبر داده‌اند. حالا به گزارش CNN، استفاده از قطعه حافظه و فلش محصول شرکت کره‌ای SK hynix آن هم با وجود محدودیت‌های صادراتی ایالات متحده علیه هواوی، خبرساز شده است. در ...

ادامه ...

1402/6/2 توسعه حافظه HBM3E برای نسل آینده هوش مصنوعی توسط SK hynix – پردازش 230 فیلم FHD در یک ثانیه

کمپانی SK hynix روز دوشنبه 21 آگوست 2023 (30 مرداد 1402) از جدیدترین نوآوری خود در زمینه حافظه‌های DRAM رونمایی کرد. این محصول حافظه پرسرعت HBM3E بوده و به طور اختصاصی برای کارکردهای هوش مصنوعی طراحی شده است. اعلام این خبر از سوی SK hynix نشان از برتری این کمپانی ...

ادامه ...

1402/4/2 معرفی حافظه UFS 4.0 شرکت مایکرون مجهز به 232 لایه NAND سه‌بعدی و سرعتی بالاتر از سامسونگ

حافظه‌های پر سرعت UFS این روزها علاوه بر گوشی‌های گران‌قیمت در مدل‌های میان‌رده و حتی ارزان‌قیمت بازار نیز مشاهده می‌شوند هرچند همچنان سریع‌ترین فناوری در این زمینه یعنی حافظه‌های UFS 4.0 تنها مختص پرچمداران بوده و مدل‌های ارزان‌تر از گونه‌های کم‌سرعت‌تر UFS 3.1 و UFS 2.2 بهره می‌برند. شرکت سامسونگ ...

ادامه ...

1401/11/12 نگاهی به بحران تراشه‌های حافظه: انبارهای پر، زیان‌های مشتریان و تهدید خروج و ادغام

بازار تراشه‌های حافظه جزو آن دسته از بازارهاست که به شکل دوره‌ای رونق و رکود را تجربه می‌کند. در چند سال اخیر، بازار روی خوش خود را به این کسب‌وکار نشان داده بود؛ ترکیبی از مدیریت نظام‌مند و بازارهای جدید برای محصولات (از جمله تکنولوژی 5G و سرویس‌های ابری) موجب ...

ادامه ...

1401/2/15 معرفی راهکار حافظه مبتنی بر UFS 4.0 سامسونگ با سرعت بالاتر و مصرف انرژی پایین‌تر

در حالی که ظرفیت فضای ذخیره‌سازی در گوشی‌های هوشمند یکی از مهم‌ترین شاخصه‌های تصمیم‌گیری برای مصرف‌کنندگان محسوب می‌شود، نوع فناوری ذخیره‌سازی اغلب نادیده گرفته می‌شود. امروزه بیشتر اسمارت‌فون‌های اندرویدی (و البته بسیاری از دیگر لوازم الکترونیکی) از فناوری موسوم به UFS (کوتاه‌شده Universal Flash Storage) استفاده می‌کنند که نسخه 3.0 ...

ادامه ...

1400/10/29 توسعه نخستین پردازش درون-حافظه‌ای مبتنی بر MRAM توسط سامسونگ

پردازش درون-حافظه‌ای (In-Memory Computing) چندی‌ست که به عنوان یک راهکار جدید برای تحقق نسل آینده پردازش کم‌مصرف هوش مصنوعی مطرح شده است. پژوهشگران با استفاده از در دسترس‌ترین انواع حافظه‌های غیرفرار (non-volatile memories) اقدام به آزمایش تکنولوژی رایانش درون-حافظه‌ای کرده‌اند. از جمله تکنولوژی‌های حافظه‌ای در این زمینه MRAM (Magnetoresistive Random ...

ادامه ...

1400/9/12 انقلاب در ذخیره‌سازی اطلاعات با استفاده از DNA - ذخیره کل اطلاعات اینترنت در یک جعبه کفش!

ابزارهای مغناطیسی ذخیره‌سازی اطلاعات که امروزه در طیف وسیعی از کاربردها مورد استفاده قرار می‌گیرند از قدمتی طولانی برخوردارند اما جایگاه بالایی را از لحاظ دوام و استحکام به‌خود اختصاص نمی‌دهند. حالا محققان از به‌کارگیری روش تازه‌ای برای یکی از پیشروترین روش‌های ذخیره اطلاعات یعنی ذخیره‌سازی DNA سخن می‌گویند که ...

ادامه ...

1400/3/26 رونمایی سامسونگ از پکیج جدید uMCP، متشکل از رم LPDDR5 و حافظه داخلی UFS 3.1

کمپانی سامسونگ روز سه‌شنبه 15 ژوئن 2021 (25 خرداد 1400) از جدیدترین راهکار حافظه‌ای خود برای استفاده در گوشی‌های هوشمند پرده برداشت. در این محصول – که LPDDR5 uMCP نام گرفته – حافظه DRAM (از نوع LPDDR5) با حافظه داخلی NAND flash (از نوع UFS 3.1) به صورت ...

ادامه ...

1399/1/1 تولید نخستین حافظه با استاندارد eUFS 3.1 توسط سامسونگ

کمپانی سامسونگ الکترونیکس – که از پیشگامان صنعت حافظه و ذخیره‌سازی محسوب می‌شود – معمولا در عرضه تراشه‌های مبتنی بر تکنولوژی‌های جدیدتر، زودتر از بقیه برندها دست به کار می‌شود. سامسونگ جزو نخستین برندهایی بود که تراشه‌های ذخیره‌‌سازی مبتنی بر استانداردهای UFS 2.1 ،UFS 2.0 و UFS 3.0 را تولید ...

ادامه ...

1398/4/30 تولید انبوه نخستین DRAM موبایلی LPDDR5 دوازده گیگابیتی توسط سامسونگ

پس از گذشت 5 ماه از تولید انبوه حافظه 12 گیگابایتی LPDDR4X، کمپانی سامسونگ در روز پنجشنبه 18 جولای 2019 (27 تیر 1398) در وب‌سایت خبری خود اعلام کرد که تولید انبوه نخستین تراشه DRAM موبایلی LPDDR5 از نوع 12 گیگابیتی را آغاز نموده است. به گفته شرکت سازنده، این ...

ادامه ...

1397/10/15 گزارش TrendForce از چشم‌انداز بازار DRAM در سال 2019 – کاهش قیمت‌ها ادامه دارد

واحد DRAMeXchage در مؤسسه تحقیقاتی TrendForce، در روز چهارشنبه 2 ژانویه 2019 (12 دی 1397) با انتشار گزارشی در وب‌سایت اصلی خود، به تحلیل و پیش‌بینی بازار جهانی DRAM در سال 2019 پرداخت. طبق این گزارش، قیمت‌های قراردادی محصولات DRAM در سه‌ماهه چهارم 2018 نسبت به سه‌ماهه سوم با افت ...

ادامه ...

1397/7/19 TrendForce اعلام کرد: کاهش قیمت حافظه‌های DRAM و NAND Flash در آینده نزدیک

DRAMeXchange، از واحدهای تحقیقاتی مؤسسه TrendForce، در روز سه‌شنبه 9 اکتبر 2018 (17 مهر 1397) گزارشی را از وضع موجود بازار حافظه‌های DRAM و NAND Flash و چگونگی ادامه روند آن در سه‌ماهه چهارم منتشر کرد. طبق این گزارش، علی‌رغم در پیش بودن فصل مقارن با فروش سال نوی میلادی، ...

ادامه ...

1397/4/26 معرفی اولین DRAM هشت گیگابیتی LPDDR5 دنیا توسط سامسونگ

شرکت سامسونگ یکی از بزرگ‌ترین سازند‌گان تراشه‌های حافظه در دنیا در روز 17 جولای 2018 (26 تیر 1397) از ساخت اولین DRAM هشت گیگابیتی LPDDR5 در کلاس 10 نانومتری خبر داد؛ عبارت کلاس 10 نانومتری در ادبیات سامسونگ به فناوری ساخت مابین 10 تا 20 نانومتری اطلاق می‌شود. سامسونگ برای ...

ادامه ...

1397/4/21 معرفی نسل پنجم حافظه‌های V-NAND سامسونگ – نخستین حافظه 96 لایه‌ای در صنعت

کمپانی سامسونگ الکترونیکس در روز دوشنبه 9 جولای 2018 (18 تیر 1397) از آغاز تولید انبوه نسل پنجم تراشه‌های حافظه فلش از نوع NAND سه بعدی – که شرکت آن را V-NAND می‌نامد – خبر داد. به گفته سامسونگ، این حافظه 256 گیگابیتی، بر خلاف نسل قبلی این حافظه‌ها که ...

ادامه ...

1397/4/14 معرفی نسل جدید حافظه‌های موبایل شامل SD Express ،LPDDR5 و UFS 3.0

دستگاه‌های هوشمند همراه از سه واحد حافظه RAM برای ذخیره کوتاه‌مدت داده‌ها، ROM یا حافظه داخلی برای نگهداری طولانی اطلاعات و حافظه‌های قابل حمل برای افزایش فضای ذخیره‌سازی بهره می‌برند. اگر چه حافظه گوشی‌های هوشمند ممکن است در نگاه اول به اندازه صفحه‌نمایش یا پردازنده مورد توجه قرار نگیرند، اما ...

ادامه ...

1396/11/16 معرفی استاندارد حافظه UFS 3.0 با سرعتی تا 2.9 گیگابایت در ثانیه

در سال‌های اخیر نیاز کاربران به حافظه‌های داخلی با سرعت و ظرفیت بالا افزایش یافته است. بهبود کیفیت دوربین گوشی‌های هوشمند و افزایش تعداد عکس‌ها، در کنار بالا رفتن حجم اپلیکیشن‌ها از دلایل اصلی نیاز به این نوع از حافظه است. در همین راستا، انجمنJEDEC Solid State Technology در ...

ادامه ...

1396/10/2 تولید انبوه نسل دوم DRAMهای 10 نانومتری توسط سامسونگ

کمپانی سامسونگ الکترونیکس در روز چهارشنبه 20 دسامبر سال جاری میلادی (29 آذر 1396) از تولید انبوه نسل دوم DRAMهای 8 گیگابیتی در کلاس 10 نانومتری خبر داد. این کمپانی نسل اول DRAMهای کلاس 10 نانومتری خود را در فوریه سال 2016 ارائه کرده بود. سپس در اکتبر همان سال، ...

ادامه ...

1396/5/19 آشنایی با تکنولوژی حافظه‌های ذخیره‌سازی UFS

امروزه انواع دستگاه‌های همراه هوشمند از دو واحد اصلی حافظه بهره می‌برند: اولی یک حافظه سریع و فرار برای نگهداری کوتاه مدت داده‌ها، به نام حافظه اصلی یا RAM؛ و دومی یک حافظه غیرفرار برای نگهداری طولانی مدت داده‌ها که تحت عنوان حافظه ذخیره‌سازی داخلی یا Storage Internal شناخته ...

ادامه ...

1396/4/23 پیش‌بینی جدید گارتنر: کاهش سود سامسونگ، همزمان با اشباع بازار نیمه‌رساناها از سال 2019

تولید تراشه‌های حافظه یکی از پردرآمدترین صنایع دنیای الکترونیک بوده و طبق پیش‌بینی‌ها، روند رو به رشد این بازار همچنان ادامه خواهد داشت. سودآوری این صنعت را می‌توان به قیمت بالای محصولات آن نسبت داد که طبق گزارش‌های معتبر، این قیمت‌ها فعلا صعودی هستند. گزارش‌ TrendForce از بازار حافظه‌های NAND ...

ادامه ...

1396/4/15 سرمایه‌گذاری عظیم سامسونگ در تراشه‌های حافظه - نیم میلیون فرصت شغلی در انتظار کره‌ای‌ها

خبرگزاری رویترز در روز سه‌شنبه 4 جولای 2017 (13 تیر 1396) از برنامه سرمایه‌گذاری بزرگ سامسونگ در کره جنوبی خبر داد. سامسونگ، که یکی از پیشتازان تولید تراشه‌های حافظه و نمایشگر به شمار می‌رود، قصد دارد با سرمایه‌گذاری 18.6 میلیارد دلاری در این بخش‌ها، سلطه خود بر عرصه تراشه‌های حافظه ...

ادامه ...