واحد خبر mobile.ir : شرکت سامسونگ یکی از بزرگ‌ترین سازند‌گان تراشه‌های حافظه در دنیا در روز 17 جولای 2018 (26 تیر 1397) از ساخت اولین DRAM هشت گیگابیتی LPDDR5 در کلاس 10 نانومتری خبر داد؛ عبارت کلاس 10 نانومتری در ادبیات سامسونگ به فناوری ساخت مابین 10 تا 20 نانومتری اطلاق می‌شود. سامسونگ برای اولین بار در سال 2014 نخستین DRAM هشت گیگابیتی LPDDR4 را به تولید انبوه رساند و در اکتبر 2016 نیز نخستین پکیج DRAM هشت گیگابایتی از نوع LPDDR4 را عرضه کرد. تولید انبوه نسل دوم DRAMهای 10 نانومتری سامسونگ در دسامبر سال گذشته میلادی آغاز شد و اینک نخستین DRAM از نوع LPDDR5 که از آن در آینده برای دستگاه‌های مجهز به 5G و فعال در زمینه هوش مصنوعی استفاده می‌شود به معرض نمایش گذاشته شده است.

حافظه جدید 8Gb LPDDR5 سامسونگ را می‌توان نسل جدیدی از حافظه‌های کلاس 10 نانومتری این شرکت دانست که پیش از این در دسامبر 2017 با ارائه حافظه 16 گیگابیتی DRAM از نوع GDDR6 آغاز شد و سپس حافظه 16 گیگابیتی DDR5 در فوریه سال جاری به بازار عرضه شده بود. استاندارد LPDDR5 به اندازه‌ای جدید به حساب می‌آید که هنوز خود این استاندارد و ویژگی‌های آن نهائی نشده و اتحادیه JEDEC تا این تاریخ مشخصات نهائی DDR5 و LPDDR5 را به صورت رسمی اعلام نکرده است.

جینمان هان (Jinman Han) معاونت ارشد بخش برنامه‌ریزی محصولات حافظه و مهندسی کاربردی در شرکت سامسونگ الکترونیکس در رابطه با این محصول جدید می‌گوید: «این توسعه [حافظه] 8 گیگابیتی LPDDR5 نشانگر یک قدم رو به جلوی بزرگ برای راه‌کارهای [مرتبط با] حافظه موبایلی کم‌توان (low-power) است. ما [به تلاش خود برای] گسترش نسل بعدی سری DRAM کلاس 10 ادامه می‌دهیم.»

سرعت این حافظه 8Gb LPDDR5 به 6,400 مگابیت بر ثانیه می‌رسد که نسبت به برترین DRAMهای حاضر در گوشی‌های پرچمدار فعلی بازار یعنی حافظه‌های رم LPDDR4X (با نرخ تبادل حداکثر 4,266Mb/s) نزدیک به 1.5 برابر سرعت بیشتری را ارائه می‌کند. این افزایش سرعت حافظه‌های جدید LPDDR5 امکان انتقال حجیم وسیعی از اطلاعات در حدود 51.2 گیگابایت در تنها یک ثانیه را فراهم می‌کند. این حجم اطلاعات نزدیک به 14 فیلم فول اچ‌دی کامل است که هر کدام حدود 3.7 گیگابایت فضا را به خود اختصاص داده‌اند.

حافظه دی‌رَم LPDDR5 جدید کلاس 10 نانومتری سامسونگ در دو پهنای باند مختلف ارائه می‌شود که شامل پهنای باند 6,400Mb/s با ولتاژ کارکرد 1.1 ولتی و 5,500Mb/s با ولتاژ کاری 1.05 ولتی است. در مورد اول با احتساب 32 بیتی بودن چیپ به سرعت 25.6 گیگابایت بر ثانیه دست می‌یابیم و در حالت 64 بیتی (که تقریبا در تمامی گوشی‌های مدرن امروزی به کار گرفته می‌شود) سرعت به 51.2 گیگابایت بر ثانیه می‌رسد. این سرعت در پهنای باند دوم این نوع از حافظه یعنی (5,500Mb/s) حداکثر به 44 گیگابایت بر ثانیه در حالت 64 بیتی می‌رسد که همچنان نسبت به سرعت 33.6 گیگابایت بر ثانیه‌ای حافظه‌های فعلی LPDDRX با پهنای باند 4,266Mb/s رقم کاملا بالاتری‌ست.

به گفته سامسونگ بهبود صورت پذیرفته در این نسل جدید از طریق برخی رویکردهای مشخص در معماری حافظه صورت گرفته که از آن جمله باید به دو برابر شدن تعداد بانک‌ها یا پشته‌های حافظه از 8 به 16 اشاره کرد که با کمک آن حافظه جدید می‌تواند با مصرف انرژی کمتر به سرعت‌های کاملا بالاتری دست پیدا کند. همچنین برای به حداکثر رساندن مصرف انرژی در حافظه‌های جدید کلاس 10 نانومتری LPDDR5، ولتاژ مصرفی برای هماهنگی با سرعت کاری پروسسور مرتبط با این مجموعه پائین آورده شده و طراحی آن به گونه‌ای صورت پذیرفته که از پر کردن سلول‌های حافظه با مقدار "0" جلوگیری می‌شود. همچنین برای این نوع از حافظه LPDDR5، حالت جدیدی به اسم deep sleep mode یا حالت خواب عمیق طراحی شده که در آن مصرف انرژی تقریبا نزدیک به نصف حالت بی‌کاری یا idle mode در DRAMهای LPDDR4X فعلی است. به لطف این تغییرات در مصرف انرژی، دی‌رم 8 گیگابیتی LPDDR5 جدید ضمن ارتقاء سرعت و پرفورمنس، نزدیک به 30 درصد کاهش مصرف انرژی را نیز در اختیار اسمارت‌فون‌های مجهز به این نوع حافظه قرار خواهد داد.

سامسونگ در مورد دیگر حوزه‌های فعالیت این نوع از حافظه با توجه به پهنای باند بالا و مصرف بهینه انرژی به کاربردهای مرتبط با هوش مصنوعی و بادگیری ماشینی اشاره کرده و دستگاه‌های موبایلی متناسب با وضوح UHD (در برداشت و پخش) را نیز از جمله حوزه‌های مورد انتظار برای استفاده از این نوع حافظه برشمرده است. این حافظه جدید مراحل تست‌های عملکردی را پشت سر گذاشته و اعنبارسنجی آن با یک پکیج 8 گیگابایتی LPDDR5 (متشکل از 8 واحد 8 گیگابیتی) نیز با موفقیت همراه بوده است. سامسونگ زمان دقیق عرضه این نوع از حافظه به بازار را مشخص نکرده و تنها به تولید انبوه آن در هماهنگی با نیاز مشتریان جهانی بسنده کرده است.