واحد خبر mobile.ir : کمپانی سامسونگ الکترونیکس در روز چهارشنبه 20 دسامبر سال جاری میلادی (29 آذر 1396) از تولید انبوه نسل دوم DRAMهای 8 گیگابیتی در کلاس 10 نانومتری خبر داد. این کمپانی نسل اول DRAMهای کلاس 10 نانومتری خود را در فوریه سال 2016 ارائه کرده بود. سپس در اکتبر همان سال، نخستین رَم‌ کم‌مصرف با نرخ تبادل داده دو برابری موسوم به LPDDR4 را با ظرفیت 8 گیگابایت معرفی نمود؛ رَم‌هایی که ظاهرا در برخی گوشی‌های هوشمند همچون OnePlus 5T ،OnePlus 5 و نسخه ویژه شیائومی Mi Mix 2 مورد استفاده قرار گرفتند. این DRAMهای 8 گیگابیتی به گفته سامسونگ قابلیت به‌کارگیری در طیف وسیعی از سیستم‌های رایانشی نسل بعدی را خواهند داشت و با ابعاد بسیار کوچک دارای کارایی و بهره‌وری بالای انرژی هستند.

گیویونگ جین (Gyoyoung Jin)، مدیر کسب‌وکار حافظه در سامسونگ، با اشاره به توسعه فناوری‌های نوآورانه در پردازش و طراحی مدار DRAM، اعتقاد دارد که این کمپانی مانع بزرگ برای مقیاس‌پذیری DRAM را از میان برداشته‌ است. او در ادامه می‌افزاید سامسونگ از طریق افزایش سریع نرخ تولید نسل دوم کلاس 10 نانومتری DRAM، تولید این دسته از محصولات را به منظور تطبیق با تقاضای نیرومند بازار به سرعت گسترش خواهد داد و رقابت‌پذیری کسب‌وکار خود را تقویت خواهد نمود.

نسل دوم DRAMهای 8 گیگابیتی کلاس 10 نانومتری سامسونگ به گفته شرکت سازنده، نسبت به نسل پیشین 30 درصد productivity بیشتری دارند. به علاوه مطابق اعلام سامسونگ، این مدل‌ها از نظر سطح عملکرد و کارایی انرژی نسبت به نسل قبلی به ترتیب 10 و 15 درصد ارتقا یافته‌اند. به بیان دیگر، DRAMهای جدید این شرکت 10 درصد سریع‌تر و 15 درصد کارایی بیشتری در مصرف انرژی خواهند داشت. ظاهرا این امر به لطف استفاده از فناوری اختصاصی و پیشرفته‌ سامسونگ برای طراحی مدار محقق شده است. رَم‌های کم‌مصرف جدید سامسونگ می‌توانند با سرعت 3,600 مگابیت در ثانیه در هر پین عمل کنند. این در حالی است که نسل قبلی این DRAMها سرعتی معادل 3,200 مگابیت در ثانیه داشتند.

سامسونگ برای طراحی این DRAM از لیتوگرافی اشعه ماورای بنفش حد بالا (یا EUV) استفاده نکرده، بلکه شیوه نوینی را به کار گرفته است که سیستم سنجش داده سلولی با حساسیت بالا و طرح پیشرفته فاصله‌گذاری هوا (air spacer) را در بر می‌گیرد. در سلول‌های نسل دوم DRAMهای 10 نانومتری سامسونگ، سیستم سنجش داده‌ها امکان تعیین دقیق‌تر داده‌های ذخیره‌شده در هر سلول را میسر می‌سازد؛ امری که منجر به افزایش قابل توجه سطح یکپارچگی مدار و بهره‌وری تولید خواهد شد.

مطابق اعلام سامسونگ، در طراحی این مدار از شیوه منحصر‌به‌فردی برای فاصله‌گذاری هوا استفاده شده است که اطراف خط‌ بیت‌های (bit lines) آن قرار گرفته و ظرفیت خازنی نامطلوب (یا parasitic capacitance) را به طور چشمگیری کاهش می‌دهد. در واقع، استفاده از فاصله‌گذار هوا نه تنها سطح مقیاس‌پذیری را افزایش می‌دهد، بلکه باعث افزایش سرعت سلول نیز خواهد شد. ظرفیت خازنی نامطلوب یا parasitic capacitance ظرفیت ناخواسته‌ای است که میان قطعات مدار الکترونیکی به علت نزدیک بودن آنها به یکدیگر وجود دارد. هنگامی که دو رسانای الکتریکی با ولتاژ‌های مختلف بسیار به یکدیگر نزدیک باشند، به طور منفی تحت تأثیر میدان الکتریکی یکدیگر قرار می‌گیرند و شارژ‌های الکتریکی متضادی، همانند شارژ تولیدشده توسط یک خازن، را ذخیره می‌کنند.

سامسونگ همچنین قصد دارد سیستم‌ها و چیپ‌های نسل بعدی DRAM شامل DDR5 ،HBM3 ،LPDDR5 و GDDR6 را معرفی نماید که در سرورهای سازمانی، دستگاه‌های موبایل، اَبَررایانه‌ها، سیستم‌های HPC و کار‌ت‌های گرافیکی با سرعت بالا مورد استفاده قرار خواهند گرفت.

مطابق پیش‌بینی IC Insights، سامسونگ در سال 2017 بزرگ‌ترین تولیدکننده قطعات نیمه‌رسانا خواهد بود و گزارش‌های این شرکت از سه‌ماهه سوم 2017 هم نشان‌دهنده سودآوری چشمگیر کسب‌وکار نیمه‌رساناها بوده است. این کمپانی در صدد است که علاوه بر تسریع افزایش حجم تولید نسل دوم DRAMهای کلاس 10 نانومتری، میزان ساخت نسل اول این DRAMها را نیز افزایش دهد تا در کنار یکدیگر پاسخگوی تقاضای رو به رشد این قطعه در بازار سیستم‌های الکترونیکی سطح بالا باشند.

سامسونگ تأیید اعتبار نسل دوم ماژول‌های DDR4 کلاس 10 نانومتری خود را با سازندگان سی‌پی‌یو نهایی کرده است و برنامه بعدی این شرکت همکاری نزدیک با مشتریان جهانی برای توسعه سیستم‌های رایانشی نسل بعدی با کارایی بیشتر خواهد بود. به این ترتیب، می‌توان امیدوار بود که در آینده نزدیک شاهد به‌کارگیری DRAMهای نسل دوم سامسونگ در دستگاه‌های هوشمندی همچون اسمارت‌فون‌ها باشیم.