توسعه حافظه HBM3E برای نسل آینده هوش مصنوعی توسط SK hynix – پردازش 230 فیلم FHD در یک ثانیه

نمایش خبر

تاریخ : 1402/6/2        نویسنده: مسعود بهرامی شرق
برچسب‌ها : حافظه ، دی رم DRAM ، هوش مصنوعی Artificial Intelligence
واحد خبر mobile.ir : کمپانی SK hynix روز دوشنبه 21 آگوست 2023 (30 مرداد 1402) از جدیدترین نوآوری خود در زمینه حافظه‌های DRAM رونمایی کرد. این محصول حافظه پرسرعت HBM3E بوده و به طور اختصاصی برای کارکردهای هوش مصنوعی طراحی شده است. اعلام این خبر از سوی SK hynix نشان از برتری این کمپانی کره‌ای در طراحی و تولید حافظه‌های با عملکرد فوق‌العاده بالا دارد. به گفته شرکت سازنده، نمونه‌های آزمایشی این تراشه به منظور بررسی و ارزیابی به برخی مشتریان فرستاده شده و تولید انبوه آن در نیمه نخست سال 2024 آغاز خواهد شد. گفتنی‌ست از همین حالا کمپانی‌های متعددی (از جمله Nvidia) برای استفاده از HBM3E در سخت‌افزارهای خود اعلام آمادگی کرده‌اند.

HBM (کوتاه‌شده High Bandwidth Memory به معنای حافظه با پهنای باند بالا) به مجموعه‌ای از چندین تراشه DRAM اشاره دارد که به صورت عمودی روی هم چیده شده و سرعت پردازش داده در آنها به شکل قابل ملاحظه‌ای افزایش یافته است. در حقیقت این نوع حافظه در سیر تکاملی خود از نسل اول HBM به نسل پنجم یعنی HBM3E، پیشرفت‌های زیادی را تجربه کرده است. اگر دقیق‌تر بگوییم، HBM3E در واقع ورژن تکامل‌یافته نسل پیشین یعنی HBM3 به شمار می‌رود.

کمپانی SK hynix که سابقه‌‌ای طولانی در تولید حافظه‌های HBM دارد، در خصوص رونمایی اخیر می‌گوید: «به عنوان تولیدکننده انحصاری HBM3، توسعه برترین حافظه HBM3E نشان از تخصص و تعهد بالای ما در راهبری بازار حافظه هوش مصنوعی دارد.» لازم به ذکر است، سرعت پردازش داده در حافظه HBM3E به 1.15 ترابایت در ثانیه می‌رسد. برای درک بهتر این سرعت، SK hynix مدعی شده که این حافظه می‌تواند بیش از 230 فیلم فول اچ‌دی (که هر کدام حجمی برابر با 5 گیگابایت دارند) را تنها در 1 ثانیه پردازش کند. البته سوای سرعت، این نوع حافظه امتیازات دیگری نیز دارد.

کمپانی SK hynix در توسعه حافظه جدید HBM3E، از تکنولوژی پیشرفته MR-MUF بهره گرفته تا به این وسیله بتواند مکانیسم دفع حرارت را تا 10 درصد نسبت به نسل قبلی ارتقاء دهد. البته تکنولوژی MR-MUF علاوه بر بهبود دفع حرارت به کاهش ضخامت تراشه نیز کمک خواهد کرد. نکته دیگر آنکه حافظه HBM3E به گونه‌ای طراحی شده که با سیستم‌های قبلی سازگاری داشته باشد. به این ترتیب، مشتریان به راحتی می‌توانند حافظه HBM3E را با سیستم‌های مبتنی بر HBM3 یکپارچه کنند، بدون اینکه به ایجاد تغییر در ساختار یا طراحی نیاز باشد.

در حال حاضر، کمپانی SK hynix تنها تولیدکننده انبوه حافظه‌های HBM3 بوده و این امتیاز می‌تواند شرکت را در موقعیت سودآوری بالایی قرار دهد، به‌ویژه با تقاضای بالا برای تراشه H100 انویدیا و دیگر شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی مولد. شکی نیست که توسعه حافظه HBM3E نقش مهمی در تحکیم جایگاه برتر SK hynix در این بازار دارد، اما نباید فراموش کنیم که SK hynix در سال آینده تنها فروشنده این نوع حافظه نخواهد بود.

ماه گذشته کمپانی آمریکایی Micron از تراشه حافظه جدیدی به نام HBM3 Gen2 پرده برداشت. سامسونگ نیز در رقابتی مستقیم با SK hynix، قرار است تولید انبوه تراشه‌های HBM برای هوش مصنوعی را در نیمه دوم سال 2023 آغاز کند. آمارها نشان می‌دهد در سال 2022 کمپانی SK hynix نیمی از بازار HBM را در اختیار خود داشته و سامسونگ و Micron با 40 و 10 درصد از سهم این بازار به ترتیب در رتبه‌های دوم و سوم قرار گرفته‌اند. در حقیقت، به نظر می‌رسد سرعت توسعه هر سه کمپانی در حوزه HBM به قدری زیاد بوده که JEDEC (سازمان تعیین‌کننده استانداردهای تکنولوژی‌های DRAM) هنوز مشخصات نهایی این حافظه جدید را منتشر نکرده است. ناگفته نماند، بازار HBM تنها 1 درصد از کل بازار DRAM را تشکیل می‌دهد.

منبع : SK hynix


خرید گوشی موبایل سامسونگ گلکسی آ 55 از دیجی کالا