واحد خبر mobile.ir : شرکت سامسونگ در حال توسعه نوع جدیدی از حافظه است که از آن با عنوان MRAM یا Magnetoresistive RAM یاد می‌شود. نخستین خبر در مورد این حافظه در جولای 2016 و همکاری مشترک IBM با سامسونگ در ساخت این نوع از حافظه منتشر شد. این حافظه جدید از نوع non-volatile RAM یا غیر فرار است که محتوای خود را پس از قطع الکتریسیته نیز حفظ کرده و از لحاظ سرعت تا هزار بار سریع‌تر از حافظه‌های NAND فلش معمولی معرفی شده است. طبق گزارشی که پایگاه Patently Apple در 25 آوریل 2017 (5 اردیبهشت 1396) منتشر شده سامسونگ در رویداد Foundry Forum خود که در 24 ماه می سال جاری برگزار می‌شود از این فناوری به صورت رسمی رونمایی می‌کند.

این نوع از حافظه‌های MRAM که هیچگاه دچار خرابی نمی‌شوند از فناوری خاصی به نام "گشتاور انتقال چرخشی" یا spin-transfer torque (به طور خلاصه STT) بهره می‌برند که با نیاز به انرژی پایین برای دسترسی به اطلاعات برای استفاده در حافظه‌های با ظرفیت پایین در دیوایس‌های پوشیدنی، گوشی‌های موبایل و به خصوص ابزارهای مرتبط با اینترنت اشیاء (IoT) مناسب خواهند بود. نکته جالب در مورد این نوع از حافظه به صفر رسیدن نیاز آنها به انرژی در هنگام فعال نبودن است که این به ماهیت غیر فرار MRAM باز می‌گردد.

طبق گزارش‌های منتشر شده، سامسونگ در حال حاضر پروسه ساخت SoC (سیستم روی تراشه) مبتنی بر MRAM را به پایان رسانده و در حال مهیا کردن سازوکاری برای انتقال این فناوری به کاربران نهایی است؛ در این فاز، سامسونگ در حال همکاری با شرکت NXP برای قرار گرفتن این نوع از حافظه در ابزارهای IoT این شرکت بوده و پس از این مرحله به احتمال فراوان، حافظه‌های MRAM را در طیف وسیع‌تری از دیوایس‌ها به خصوص در اسمارت‌فون‌ها شاهد خواهیم بود. پروسه مورد استفاده در همکاری سامسونگ و NXP با نام FD-SOI (پروسه تخلیه کامل - سیلیکون روی عایق) شناخته می‌شود و خریداران می‌توانند از بین دو گزینه فلش‌مموری معمولی و MRAM یکی را انتخاب کنند.

جدا از سامسونگ، شرکت توشیبا نیز از سال‌ 2012 در حال فعالیت روی فناوری مشابهی برای گوشی‌های موبایل بوده که به گفته تحلیلگران به‌کارگیری این نوع از حافظه می‌تواند مصرف انرژی در پردازنده‌های موبایل را تا دو سوم کاهش دهد. کاهش مصرف انرژی در گوشی‌های هوشمند همواره یکی از اهداف همیشگی سازندگان اسمارت‌فون‌ها به حساب می‌آید که در طی آن دو فاکتور اساسی گرمای ایجاد شده و مصرف باتری به میزان زیادی بهبود پیدا می کنند. با توجه به ماهیت سریع و کم‌مصرف این نوع از حافظه، MRAMها می‌توانند انتخاب ایده‌آلی برای حافظه‌هایی باشند که همواره و در هر لحظه فعال هستند از این رو در مورد گوشی‌های موبایل، حافظه‌های MRAM در حال حاضر بیشتر برای حافظه کش با ظرفیت چندین مگابایتی مد نظر قرار گرفته است و در آینده با ارتقا ظرفیت این حافظه ممکن است جایگزین‌های حافظه‌های DRAM فعلی در گوشی‌های موبایل شود. توشیبا در سال 2012 برای توسعه این نوع از حافظه با یکی از اصلی‌ترین رقبای خود یعنی SK Hynix وارد همکاری مشترک شده بود.

مطرح شدن نام توشیبا در کنار فناوری جدید MRAM از جنبه دیگری نیز اهمیت دارد چرا که بخش حافظه توشیبا و البته تمامی فناوری‌هایی از این دست همراه با حقوق ثبت اختراع آنها اینک از سوی این شرکت به فروش گذاشته شده است و نام‌هایی همچون آمازون، گوگل و فاکس‌کان به عنوان علاقه‌مندان به خرید این برند مطرح شده‌اند که از بین این نام‌ها ارتباط نزدیک فاکس‌کان با شرکت اپل معنای دیگری برای تحلیلگران این بازار خواهد داشت. بخش حافظه توشیبا تأمین‌کننده نزدیک به یک چهارم درآمد کلی این شرکت بوده و فروش آن می‌توان زیان هنگفت این برند را حداقل اندکی جبران کند.