شرکت سامسونگ در حال توسعه نوع جدیدی از حافظه است که از آن با عنوان MRAM یا Magnetoresistive RAM یاد می‌شود. نخستین خبر در مورد این حافظه در جولای 2016 و همکاری مشترک IBM با سامسونگ در ساخت این نوع از حافظه منتشر شد. این حافظه جدید از نوع non-volatile RAM یا غیر فرار است که محتوای خود را پس از قطع الکتریسیته نیز حفظ کرده و از لحاظ سرعت تا هزار بار سریع‌تر از حافظه‌های NAND فلش معمولی معرفی شده است. طبق گزارشی که پایگاه Patently Apple در 25 آوریل 2017 (5 اردیبهشت 1396) منتشر شده سامسونگ در رویداد ...