واحد خبر mobile.ir : اگر صاحب یک گوشی اندرویدی یا هر اسمارت‌فون دیگری (به جز آیفون) هستید، این احتمال دور از ذهن نیست که دیوایس شما به یکی از چیپ‌ست‌های ساخت شرکت کوالکام مجهز باشد، چون این کمپانی با داشتن بیش از 200 مدل تراشه در رده چیپ‌ست‌های اسنپ‌دراگون (از جمله تراشه‌های موفق اسنپ‌دراگون 820 و 821)، در بازار حرف اول را می‌زند.

حال کوالکام در تلاش است تا با همکاری سامسونگ و استفاده از فناوری 10 نانومتری این شرکت کره‌ای، تراشه‌ای را تولید کند که حتی کمپانی صاحب‌نام اینتل نیز هنوز به فناوری آن دست نیفتاده است.

کمپانی کوالکام در روز پنج‌شنبه 17 نوامبر 2016 (27 آبان 1395) از همکاری خود با سامسونگ برای تولید یک چیپ‌ست جدید خبر داد. به گفته کوالکام، این شرکت قصد دارد همکاری راهبردی خود با سامسونگ در زمینه نیمه‌رساناها را (که تاکنون به 10 سال رسیده) ادامه داده و جدیدترین چیپ‌ست پیشرفته خود با نام اسنپ‌دراگون 835 را با بهره‌گیری از فناوری پروسه 10 نانومتری FinFET سامسونگ به تولید برساند. این تصمیم کوالکام نشان دهنده عزم همیشگی این شرکت برای یکه‌تازی در پلتفرم‌های موبایل است.

کیث کرسین (Keith Kressin)، معاون ارشد کوالکام در بخش مدیریت تولید، در این باره می‌گوید: «از اینکه همکاری با سامسونگ را در زمینه توسعه محصولاتی که در صنعت موبایل پیشرو هستند، ادامه می‌دهیم، هیجان‌زده‌ایم.» به گفته کرسین، انتظار می‌رود به کار گیری پروسه جدید 10 نانومتری، ضمن افزایش عملکرد اسنپ‌دراگون 835، مصرف انرژی را نیز تا حد زیادی بهینه‌تر کند. همچنین به لطف این پروسه می‌توان قابلیت‌های جدیدی را هم به تراشه اضافه کرد که در نتیجه آن تجربه کاربری دیوایس‌های موبایل آینده، بهبود یابد.

در ماه اکتبر بود که سامسونگ اعلام کرد، اولین شرکتی است که به تولید انبوه فناوری 10 نانومتری FinFET دست زده است. برای درک بهتر این فناوری، بد نیست بدانیم در فناوری 14 نانومتری، عرض خطوط مدار که در سیلیکون قرار می‌گیرد، به اندازه کسری از ضخامت موی انسان است. حال، در فناوری 10 نانومتری، این میزان به کسری از اندازه مولکولی کاهش می‌یابد.

چیپ‌ست‌هایی که با استفاده از فناوری 10 نانومتری سامسونگ ساخته می‌شوند (در مقایسه با تراشه‌های تولیدشده با فناوری 14 نانومتری) تا 30 درصد کم‌حجم‌تر بوده و میزان عملکردشان تا 27 درصد بالاتر است. به بیان دیگر این فناوری 10 نانومتری باعث می‌شود مصرف انرژی تا 40 درصد (نسبت به فناوری 14 نانومتری) کاهش یابد. گفتنی است تولید چیپ‌ست‌هایی با اندازه کوچک‌تر، فضای بیشتری را در اختیار شرکت‌های سازنده می‌گذارد تا بتوانند دیوایس‌های بعدی خود را نازک‌تر طراحی کنند و یا آنها را به باتری‌های بزرگ‌تری تجهیز نمایند. انتظار می‌رود پروسه بهبودیافته 10 نانومتری، به همراه طراحی پیشرفته‌ترِ تراشه، عمر باتری را به طور چشمگیری افزایش دهد.

جانگ شیک یون (Jong Shik Yoon)، معاون اجرایی و مدیر کسب‌وکار نیمه‌رساناهای سامسونگ (foundry business)، می‌گوید: «از اینکه در تولید اسنپ‌دراگون 835 -- با استفاده از تکنولوژی 10 نانومتری FinFET ما -- این فرصت را داریم که با Qualcomm Technologies همکاری نزدیک داشته باشیم، خرسندیم. این همکاری یکی از نقاط عطف مهم در کسب‌وکار نیمه‌رساناهای ماست چرا که از اطمینان به تکنولوژی پیشتاز سامسونگ در عرصه تراشه حکایت می‌کند.»

یکی دیگر از نقاط قوت اسنپ‌دراگون 835، تجهیز آن به نسل چهارم فناوری شارژ سریع کوالکام (Qualcomm Quick Charge 4.0) است. به گفته کوالکام از مزایای Quick Charge 4.0 می‌توان به شارژ سریع‌تر، سازگاری بیشتر با دیوایس‌ها، کابل‌ها و شارژرهای مختلف و نهایتا ویژگی‌های امنیتی بیشتر اشاره کرد. شعار تبلیغاتی کوالکام برای Quick Charge 4.0 این است: «5 ساعت استفاده، از تنها 5 دقیقه شارژ کردن.» کوالکام مدعی است نسل چهارم شارژ سریع -- به لطف فناوری شارژ موازی دوگانه موسوم بهDual Charge -- در مقایسه با Quick Charge 3.0، حدود 20 درصد سریع‌تر بوده و 30 درصد در مصرف انرژی بهینه‌تر عمل می‌کند. این آمار در نتیجه آزمایش‌های صورت گرفته روی یک باتری 2750 میلی آمپر ساعتی به دست آمده که می‌توان گفت ظرفیتی است استاندارد برای اسمارت‌فون‌های پیشرفته و صفحه‌بزرگی که در حال حاضر در بازار موجودند.

برخلاف نسل سوم شارژ سریع، نسل چهارم کاملا با پروتکل‌های USB Type-C، از جمله USB Power Delivery (انتقال انرژی از طریق یو‌اس‌بی)، سازگار بوده و به گفته کوالکام، با خصوصیات جدید گوگل برای شارژ Type-C نیز سازگاری دارد. از جمله این خصوصیات جدید می‌توان به موارد زیر اشاره کرد: اندازه‌گیری دقیق‌تر ولتاژ، جریان و دما به منظور محافظت دیوایس‌ها و شارژرها از آسیب‌دیدگی و همچنین محافظتی جدید در برابر شارژ بیش از اندازه.

از دیگر امکانات Quick Charge 4.0 می‌توان تشخیص کیفیت کابل و "شارژ مرحله‌ای" موسوم به step charging را نام برد. این ویژگی به مدار شارژ باتری اجازه دریافت انرژی بیشتر یا اصطلاحا بالا رفتن را می‌دهد، اما پس از گذشت مدتی، موقتا به حالت عادی باز برمی‌گردد تا به باتری در حال شارژ به مرور زمان فشار وارد نشود؛ در نتیجه سلول‌های باتری از چرخه‌های عمر شارژ طولانی‌تری برخوردار خواهند شد.

یکی دیگر از ویژگی‌های Quick Charge 4.0، برخورداری از نسل سوم استاندارد INOV (دادوستد هوشمند برای ولتاژ بهینه) است که اینک می‌تواند عمل مدیریت حرارت را نیز در آن واحد انجام دهد. جالب است بدانیم کوالکام موفق شده با به کارگیری تکنیک‌های مدیریت حرارت، دمای باتری در هنگام شارژ با این فناوری جدید را -- در مقایسه با نسل سوم Quick Charge -- تا 5 درجه سلسیوس پایین بیاورد. گفتنی است در نسل چهارم شارژ سریع کوالکام از 2 آی‌سی جدیدِ مدیریت انرژی به نام‌های SMB1380 و SMB1381 استفاده شده که مقاومت پایینی داشته و تا 95 درصد در مصرف انرژی بهینه‌ترند. همچنین این دو آی‌سی از امکانات پیشرفته شارژ سریع، نظیر "سنجش افتراقیِ باتری" (battery differential sensing) نیز برخوردارند.

انتظار می‌رود در نیمه نخست سال 2017، شاهد عرضه دیوایس‌هایی مجهز به چیپ‌ست اسنپ‌دراگون 835 باشیم.