واحد خبر mobile.ir : کمپانی سامسونگ الکترونیکس، از پیشگامان فناوری نیمه‌رسانا در دنیا، روز پنجشنبه 30 ژوئن 2022 (9 تیر 1401) از آغاز تولید نسل نخست تراشه با لیتوگرافی 3 نانومتری خبر داد. این تراشه‌ها بر مبنای معماری ترانزیستوری جدیدی موسوم به GAA (کوتاه‌شده Gate-All-Round) ساخته شده که یک قدم از FinFET جلوتر است. طبق ادعای سامسونگ، در ساخت این تراشه‌های جدید، برای اولین بار از نوع خاصی از تکنولوژی GAA تحت عنوان MBCFET استفاده شده که محدودیت‌های عملکردیِ FinFET را ندارد. از دیگر مزایای این تکنولوژی می‌توان به بهبود مصرف (در نتیجه کاهش سطح ولتاژ) و همچنین ارتقاء عملکرد (به دنبال افزایش جریان) اشاره کرد.

طبق ادعای سامسونگ، این لیتوگرافی 3 نانومتری – که نخستین نسل از تکنولوژی 3 نانومتری سامسونگ محسوب می‌شود – در قیاس با لیتوگرافی 5 نانومتری، تا 23 درصد عملکرد بهتر، تا 45 درصد کاهش مصرف و همچنین 16 درصد کاهش مساحت تراشه را به همراه خواهد داشت. سامسونگ امیدوار است که نسل دوم لیتوگرافی 3 نانومتری این شرکت بتواند عملکرد را تا 30 درصد ارتقا داده و میزان مصرف و مساحت تراشه را به‌ترتیب 50 و 35 درصد کاهش دهد.

در تکنولوژی GAA انحصاری سامسونگ از نانوورق‌های با کانال‌های عریض‌تر استفاده شده که در مقایسه با سایر تکنولوژی‌های GAA – که در آنها از نانوسیم‌هایی با کانال‌های باریک‌تر استفاده می‌شود – عملکرد و بازدهی بالاتری دارد. سامسونگ مدعی شده که با استفاده از این لیتوگرافی 3 نانومتری، این امکان را خواهد داشت تا بتواند با تنظیمِ پهنای کانال نانوورق، میزان عملکرد و مصرف تراشه را مطابق با نیازهای مشتریان بهینه کند.

انتشار این خبر از آن جهت اهمیت دارد که سامسونگ با آغاز تولید تراشه با لیتوگرافی 3 نانومتری، گام بزرگی را در جهت رقابت با رقیب دیرینه خود یعنی TSMC برداشته است، زیرا در حالی که سامسونگ تولید تراشه‌های 3 نانومتری خود را آغاز کرده، انتظار می‌رود تولید انبوه چیپ‌ست‌های 3 نانومتری TSMC از نیمه دوم سال جاری میلادی شروع شود. به این ترتیب، می‌توان گفت حداقل در این زمینه، سامسونگ یک قدم از TSMC جلوتر افتاده است. البته توجه به این نکته نیز ضروری‌ست که سامسونگ در این نوبت هیچ اشاره‌ای به زمان تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری خود نکرده و بدین‌ترتیب دورنمای رقابت این شرکت با TSMC هنوز در پرده‌ای از ابهام قرار می‌گیرد.

کمپانی تایوانی TSMC عمده سهم بازار تولید تراشه به صورت قراردادی را در اختیار داشته و شرکت اپل در ساخت دیوایس‌هایی مثل آیفون، آی‌پد، مک‌بوک و کامپیوترهای مک از پروسسورهای ساخت TSMC استفاده می‌کند. به باور برخی کارشناسان، بعید است سامسونگ به این زودی بتواند در برابر TSMC قد علم کند، مگر اینکه سامسونگ بتواند مقرون‌به‌صرفه بودن و بازدهی مناسب لیتوگرافی جدید 3 نانومتری خود را در رقابت با TSMC ثابت کند.

به گفته سامسونگ، در حال حاضر تراشه‌های 3 نانومتری تولید شده، برای کارکردهای کامپیوتری با عملکرد بالا و مصرف پایین در نظر گرفته شده، اما این شرکت کره‌ای در پی آن است که نهایتا این چیپ‌ست‌ها را برای استفاده در دیوایس‌های موبایل آماده کند. در فاز اولیه، این چیپ‌ست‌ها در کارخانه‌ای‌ واقع در شهر هواسئونگ به تولید می‌رسد، اما با افزایش حجم تولید، از ظرفیت کارخانه پیونگتائک نیز استفاده خواهد شد. طبق برنامه‌ریزی‌های سامسونگ، احداث کارخانه تولید محصولات نیمه‌رسانای سامسونگ در تگزاس آمریکا آغاز شده و انتظار می‌رود این کارخانه تا سال 2024، ظرفیت تولید انبوه تراشه با لیتوگرافی 3 نانومتری را پیدا کند.